Диод: импульсный; SMD; 300В; 200мА; 50нс; Упаковка: бобина, лента Технические параметры
- Diode type: импульсный
- Features of semiconductor devices: быстрый диод
- Forward current: 200mA
- Forward voltage at If: 1.1V
- Housing: SOT23
- Kind of package: бобина
- Load current: 200mA
- Manufacturer: NEXPERIA
- Max. forward impulse current: 9A
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- Off state voltage max.: 300V
- Package: SOT23
- Reverse recovery time: 50ns
- Semiconductor structure: одиночный диод
- Время готовности: 50ns