Диод: импульсный; SMD; 420В; DO214AC; Ifsm:30А; Ubr:600В; Ir:5мкА Технические параметры
- Breakdown voltage: 600V
- Case: DO214AC
- Diode type: импульсный
- Features of semiconductor devices: сверхбыстрый диод
- Forward current: 1A
- Forward voltage at If: 1.7V
- Housing: SMA
- Kind of package: лента
- Leakage current: 5µA
- Manufacturer: Taiwan Semiconductor
- Max. forward impulse current: 30A
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- Off state voltage max.: 420V
- Semiconductor structure: одиночный диод
- Время готовности: 75ns
- Емкость: 10pF
