Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

ГлавнаяКаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампы
Цены указаны без НДС
HN1C01FE-GR,LXHF Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1C01FE-GR(T5LF) Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1C01FE-Y,LF Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1C01FE-Y,LXHF Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1C01FU-GR,LF Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1C01FU-GR,LXHF Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1C01FU-Y,LF Bipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120
Bipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1C01FU-Y,LXHF Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1C01FU-Y(TE85LF Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1C01FU-YLF(T Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1C01FYTE85LF Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1C03F-B(TE85L,F) Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6
Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1C03FU-A(TE85L,F Bipolar Transistors - BJT US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
Bipolar Transistors - BJT US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1C03FU-B,LF Bipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=20V, IC=0.3A, hFE=350
Bipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=20V, IC=0.3A, hFE=350
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1C03FU-B(TE85L,F Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1D01F(TE85L,F) Diodes - General Purpose, Power, Switching SM6 M8 DIODE (LF)
Diodes - General Purpose, Power, Switching SM6 M8 DIODE (LF)
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1D01FE(TE85L,F) Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Sp
Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Sp
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1D01FU,LF(T Diodes - General Purpose, Power, Switching High Speed Switching Diode
Diodes - General Purpose, Power, Switching High Speed Switching Diode
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1D01FU(T5L,F,T) Diodes - General Purpose, Power, Switching 85V Vrm 80VR 300mA 2A IFSM 0.92V VF
Diodes - General Purpose, Power, Switching 85V Vrm 80VR 300mA 2A IFSM 0.92V VF
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HN1D02F(TE85L,F) Diodes - General Purpose, Power, Switching SM6 M8 DIODE (LF), IFM=300mA
Diodes - General Purpose, Power, Switching SM6 M8 DIODE (LF), IFM=300mA
производитель:
Toshiba
Склад: