ГлавнаяКаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампы
Цены указаны без НДС
APT25GR120S Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 25А; 521Вт; D3PAK
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 25А; 521Вт; D3PAK
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
APT25GR120SD15 Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 25А; 521Вт; D3PAK
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 25А; 521Вт; D3PAK
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
APT25GT120BRDQ2G Транзистор: IGBT; 1200В; 25А; 347Вт; TO247-3; Thunderblot IGBT®
Транзистор: IGBT; 1200В; 25А; 347Вт; TO247-3; Thunderblot IGBT®
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
APT25GT120BRG Транзистор: IGBT; 1200В; 25А; 347Вт; TO247-3; Thunderblot IGBT®
Транзистор: IGBT; 1200В; 25А; 347Вт; TO247-3; Thunderblot IGBT®
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
APT26F120L Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 105А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 105А; 1135Вт; TO264
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
APT27GA90BD15 Транзистор: IGBT; PT; 900В; 27А; 223Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 27А; 223Вт; TO247-3
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
APT28M120L Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 104А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 104А; 1135Вт; TO264
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
APT29F100L Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 19А; Idm: 120А; 1,04кВт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 19А; Idm: 120А; 1,04кВт; TO264
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
APT2X100D100J Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1кВ; 100А; SOT227B; винтами
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1кВ; 100А; SOT227B; винтами
производитель:
Microchip
Склад:
Цены указаны без НДС
APT2X100D100J Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1кВ; 100А; SOT227B; винтами
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1кВ; 100А; SOT227B; винтами
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
APT2X100D120J Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; 100А; SOT227B; FRED
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; 100А; SOT227B; FRED
производитель:
Microchip
Склад:
Цены указаны без НДС
APT2X100D120J Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; 100А; SOT227B; FRED
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; 100А; SOT227B; FRED
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
APT2X100D20J Модуль: диодный; 2 независимых диода; 200В; If: 100А; SOT227B; 171А
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 200В; If: 100А; SOT227B; 171А
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
APT2X100D20J Модуль: диодный; 2 независимых диода; 200В; If: 100А; SOT227B; 171А
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 200В; If: 100А; SOT227B; 171А
производитель:
Microchip
Склад:
Цены указаны без НДС
APT2X100D40J Модуль: диодный; 2 независимых диода; 400В; 100А; SOT227B; винтами
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 400В; 100А; SOT227B; винтами
производитель:
Microchip
Склад:
Цены указаны без НДС
APT2X100D40J Модуль: диодный; 2 независимых диода; 400В; 100А; SOT227B; винтами
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 400В; 100А; SOT227B; винтами
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
APT2X100D60J Модуль: диодный; 2 независимых диода; 600В; 100А; SOT227B; винтами
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 600В; 100А; SOT227B; винтами
производитель:
Microchip
Склад:
Цены указаны без НДС
APT2X100D60J Модуль: диодный; 2 независимых диода; 600В; 100А; SOT227B; винтами
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 600В; 100А; SOT227B; винтами
производитель:
MICROSEMI
Склад:
Цены указаны без НДС
APT2X100DQ100J Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1кВ; 100А; SOT227B; винтами
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1кВ; 100А; SOT227B; винтами
производитель:
Microchip
Склад:
Цены указаны без НДС
APT2X100DQ100J Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1кВ; 100А; SOT227B; винтами
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1кВ; 100А; SOT227B; винтами
производитель:
MICROSEMI
Склад: